삼성전자가 반도체 부문에서 다시 한 번 초격차를 벌렸다.

삼성전자는 최근 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4 D램'을 개발했다고 21일 밝혔다. 세계 최초다.

2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만에 이룬 쾌거다. 기존 공정을 사용하면서도 생산성을 20% 높였으며, 더 빠르고 효율적으로 작동한다.

CPU 업체 평가 항목에서도 승인을 완료했다. 양산은 올 하반기부터 시작할 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 되었다"며, "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.