[메트로신문 정은미기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 '반도체 신화'를 이어가기 위해 연초부터 기술 개발과 대규모 투자에 나섰다.

올해 반도체 시장은 세계 경제의 불확실성에 따른 수요 둔화와 중국의 반도체 진입 등으로 어려운 상황이 지속될 것으로 예상되고 있다. 그러나 삼성전자와 SK하이닉스는 위기 사항을 정면 돌파해 시장 주도권을 유지하겠다는 계획이다. 중국 등 후발업체와의 격차를 크게 벌여놓기 위해서다.

삼성전자는 19일 현존하는 최고 속도의 D램보다 7배 이상 빠른 차세대 '4기가바이트(GB) HBM2(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory) D램'을 본격 양산한다고 밝혔다.

HBM D램은 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용해 D램 칩에 5000개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결함으로써 기존 금선을 이용한 D램 패키지에 비해 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어 올렸다. 이 제품은 차세대 초고성능 컴퓨팅 시스템에 최적의 솔루션을 제공할 수 있을 것으로 기대된다.

삼성전자는 올 상반기 중에 용량을 2배 올린 '8GB HBM2 D램'도 양산할 계획이다. 향후 차세대 HBM 라인업을 더욱 확대해 초고속 컴퓨팅용 HBM시장을 지속 선점하고, HBM D램의 생산비중을 확대해 네트워크, 서버 등 새로운 프리미엄 메모리 시장 성장세를 주도한다는 전략이다.

또한 삼성전자는 최근 3차원 트랜지스터 구조 핀펫(FinFET)을 적용한 14나노 2세대 로직(Logic) 공정으로 모바일 SoC(시스템온칩) 제품을 본격 양산하기 시작했다. 14나노 2세대 공정을 기반으로 '엑시노스 8 옥타'와 퀄컴의 '스냅드래곤 820'을 포함한 파운드리 제품을 동시에 생산한다.

이 제품은 삼성전자가 오는 3월 출시하는 스마트폰 '갤럭시S7'에 탑재될 전망이다. 또 자동차 전장사업에서도 차량용 반도체가 중심이 돼 반도체 부문에 힘을 실을 것으로 보인다.

SK하이닉스는 올해 6조원 이상을 반도체에 투자하기로 했다. 창사 이래 가장 많은 금액을 투자했던 지난해와 비슷한 규모다. 원가경쟁력 강화를 위한 기술 개발, 생산공간 확보 및 기반시설 구축 등을 중심으로 투자를 집행할 방침이다.

특히 SK하이닉스는 업계 최고 수준의 메모리 기술인 2z와 1x나노 D램, 3D 낸드플래시의 개발·양산을 위한 투자를 집행한다. 중장기 수요 증가에 대비하기 위해 이천과 청주 지역에 신규 공장 건설을 위한 투자도 계획대로 진행한다.

그러나 올해 반도체 시장은 녹록지 않을 것으로 보인다. 세계 메모리 반도체 시장은 공급 과잉이 이어지며 역성장마저 우려된다. 실제로 시장조사 기관 IHS는 올해 세계 D램 시장이 지난해보다 9.3%, 낸드플래시 시장은 1.6% 줄어들 것으로 내다봤다. 또 평균 판매 가격(ASP)은 D램이 작년보다 29%, 낸드플래시는 29.9%씩 떨어질 것으로 전망했다. 대표적인 메모리 반도체들의 수익성에 적신호가 켜진 것이다.

여기에 중국의 칭화유니그룹이 막강한 자금력에 힘입은 공격적인 인수·합병(M&A)으로 돌풍을 일으키고 있다. 최근에는 SK하이닉스에 지분 인수를 제안하며 국내 반도체 업계에 위협 요소로 떠올랐다.

반도체 업계 관계자는 "올해 반도체 시장은 그 어느 때보다 경쟁력 확보가 중요해졌다"며 "올해 삼성전자와 SK하이닉스의 경쟁력을 시험하는 한 해가 될 것"이라고 말했다.